场效应管（FET）和三极管（BJT，双极结型晶体管）是两种常用的半导体器件，虽然都可用于放大和开关电路，但在工作原理、结构和特性上有本质区别，主要差异如下：

一、核心工作原理不同 - 三极管（BJT）：    属于电流控制型器件，通过基极电流（IB）控制集电极电流（IC），遵循关系IC = β·IB（β为电流放大倍数）。    其导电依赖两种载流子（电子和空穴）的运动（“双极”由此得名），例如NPN型三极管中，电子从发射极流向集电极，同时基区有少量空穴参与导电。 - 场效应管（FET）：    属于电压控制型器件，通过栅极电压（VGS）产生的电场控制漏极电流（ID），几乎不需要栅极电流（输入阻抗极高）。    其导电仅依赖一种载流子（电子或空穴）的运动（“单极”器件），例如N沟道FET仅靠电子导电，P沟道FET仅靠空穴导电。 二、结构与电极差异 - 三极管：    有三个电极：发射极（E）、基极（B）、集电极（C），内部包含两个PN结（发射结和集电结），结构分为NPN型和PNP型。    基区非常薄（微米级），且掺杂浓度低，这是实现电流放大的关键。 - 场效应管：    有三个电极：源极（S）、栅极（G）、漏极（D），核心结构是栅极与导电沟道之间的绝缘层（如MOSFET的SiO₂）或反向偏置的PN结（结型FET）。    按结构可分为结型场效应管（JFET）和金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFET），按载流子类型可分为N沟道和P沟道。 三、应用场景差异 - 三极管：    适合需要中等输入阻抗、高频大功率放大的场景，如音频功率放大、射频电路、传统稳压电源等。由于基极电流可控，在精确电流源设计中更有优势。 - 场效应管：    适合高输入阻抗、低噪声、高速开关的场景，如传感器接口（避免负载影响）、高频通信电路、开关电源（MOSFET为主）、大规模集成电路（如CPU中的MOS管）等。高压场效应管还广泛用于电力电子设备（如逆变器、电机驱动）。 三极管是“电流驱动、双极导电”，场效应管是“电压驱动、单极导电”。前者在特定放大场景中性能稳定，后者在高阻抗、低功耗、大规模集成和高压开关领域更具优势。实际电路设计中，需根据输入信号特性、功耗要求和工作环境选择合适的器件。